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W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
部品型番:
W988D2FBJX7E TR
メーカー/ブランド:
Winbond Electronics Corporation
製品説明:
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
仕様書:
W988D2FBJX7E TR.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
36815 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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W988D2FBJX7E TR仕様

Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
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部品型番 W988D2FBJX7E TR メーカー Winbond Electronics Corporation
説明 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 36815 pcs stock データシート W988D2FBJX7E TR.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 15ns 電源電圧 - 1.7 V ~ 1.95 V
技術 SDRAM - Mobile LPSDR サプライヤデバイスパッケージ 90-VFBGA (8x13)
シリーズ - パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 90-TFBGA 他の名前 W988D2FBJX7E TR-ND
W988D2FBJX7ETR
運転温度 -25°C ~ 85°C (TC) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 3 (168 Hours) メモリタイプ Volatile
記憶容量 256Mb (8M x 32) メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 DRAM 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) クロック周波数 133MHz
アクセス時間 5.4ns  
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