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W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

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製品の詳細については、仕様を参照してください。
Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
部品型番:
W979H6KBVX2E TR
メーカー/ブランド:
Winbond Electronics Corporation
製品説明:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
仕様書:
W979H6KBVX2E TR.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
19609 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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W979H6KBVX2E TR仕様

Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
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部品型番 W979H6KBVX2E TR メーカー Winbond Electronics Corporation
説明 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 19609 pcs stock データシート W979H6KBVX2E TR.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 15ns 電源電圧 - 1.14 V ~ 1.95 V
技術 SDRAM - Mobile LPDDR2 サプライヤデバイスパッケージ 134-VFBGA (10x11.5)
シリーズ - パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 134-VFBGA 他の名前 W979H6KBVX2E TR-ND
W979H6KBVX2ETR
運転温度 -25°C ~ 85°C (TC) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 3 (168 Hours) メモリタイプ Volatile
記憶容量 512Mb (32M x 16) メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 DRAM 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5) クロック周波数 400MHz
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