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ディスクリート半導体製品
トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス
UNR5111G0L

UNR5111G0L

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製品の詳細については、仕様を参照してください。
PanasonicPanasonic
部品型番:
UNR5111G0L
メーカー/ブランド:
Panasonic
製品説明:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
仕様書:
UNR5111G0L.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
4860 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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部品型番 UNR5111G0L メーカー Panasonic
説明 TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4860 pcs stock データシート UNR5111G0L.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V IB、IC @ Vce飽和(最大) 250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased サプライヤデバイスパッケージ SMini3-F2
シリーズ - 抵抗器ベース(R2) 10 kOhms
抵抗器 - ベース(R1) 10 kOhms 電力 - 最大 150mW
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース SC-85
他の名前 UNR5111G0LTR 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 80MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 35 @ 5mA, 10V 電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA  
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