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SI7194DP-T1-GE3

SI7194DP-T1-GE3

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
部品型番:
SI7194DP-T1-GE3
メーカー/ブランド:
Electro-Films (EFI) / Vishay
製品説明:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
仕様書:
SI7194DP-T1-GE3.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
58529 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SI7194DP-T1-GE3仕様

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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部品型番 SI7194DP-T1-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 58529 pcs stock データシート SI7194DP-T1-GE3.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 2.6V @ 250µA Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET® 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 5.4W (Ta), 83W (Tc) パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 他の名前 SI7194DP-T1-GE3TR
SI7194DPT1GE3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6590pF @ 15V ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 145nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V ソース電圧（VDSS）にドレイン 25V
詳細な説明 N-Channel 25V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)
シャットダウン

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