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SI5980DU-T1-GE3

SI5980DU-T1-GE3

SI5980DU-T1-GE3 Image
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
部品型番:
SI5980DU-T1-GE3
メーカー/ブランド:
Electro-Films (EFI) / Vishay
製品説明:
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
仕様書:
SI5980DU-T1-GE3.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
4173 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SI5980DU-T1-GE3仕様

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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部品型番 SI5980DU-T1-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4173 pcs stock データシート SI5980DU-T1-GE3.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® ChipFet Dual
シリーズ TrenchFET® 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 567 mOhm @ 400mA, 10V
電力 - 最大 7.8W パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース PowerPAK® ChipFET™ Dual 他の名前 SI5980DU-T1-GE3CT
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 78pF @ 50V ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 3.3nC @ 10V
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) FET特長 Standard
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100V 詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.5A ベース部品番号 SI5980
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