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SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
部品型番:
SI4965DY-T1-GE3
メーカー/ブランド:
Electro-Films (EFI) / Vishay
製品説明:
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
仕様書:
SI4965DY-T1-GE3.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
4054 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Electro-Films (EFI) / Vishay

SI4965DY-T1-GE3仕様

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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部品型番 SI4965DY-T1-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4054 pcs stock データシート SI4965DY-T1-GE3.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 450mV @ 250µA (Min) サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ TrenchFET® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 21 mOhm @ 8A, 4.5V
電力 - 最大 2W パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 55nC @ 4.5V FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET特長 Logic Level Gate ソース電圧(VDSS)にドレイン 8V
詳細な説明 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
シャットダウン

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