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SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
部品型番:
SI1026X-T1-GE3
メーカー/ブランド:
Electro-Films (EFI) / Vishay
製品説明:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
仕様書:
SI1026X-T1-GE3.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
392789 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SI1026X-T1-GE3仕様

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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部品型番 SI1026X-T1-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 392789 pcs stock データシート SI1026X-T1-GE3.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA サプライヤデバイスパッケージ SC-89-6
シリーズ - 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
電力 - 最大 250mW パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666 他の名前 SI1026X-T1-GE3TR
SI1026XT1GE3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 33 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 30pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 0.6nC @ 4.5V FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET特長 Logic Level Gate ソース電圧（VDSS）にドレイン 60V
詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 305mA
ベース部品番号 SI1026  
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