部品型番 | EPC2105 | メーカー | EPC |
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説明 | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 16253 pcs stock | データシート | EPC2105.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | eGaN® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
電力 - 最大 | - | パッケージング | Original-Reel® |
パッケージ/ケース | Die | 他の名前 | 917-1185-6 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.5A, 38A |
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