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NSV40302PDR2G

NSV40302PDR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
部品型番:
NSV40302PDR2G
メーカー/ブランド:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品説明:
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
仕様書:
NSV40302PDR2G.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
195039 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSV40302PDR2G仕様

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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部品型番 NSV40302PDR2G メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 195039 pcs stock データシート NSV40302PDR2G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 40V IB、IC @ Vce飽和（最大） 115mV @ 200mA, 2A
トランジスタ型式 NPN, PNP サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ - 電力 - 最大 653mW
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前 NSV40302PDR2G-ND
NSV40302PDR2GOSTR		 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 6 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 100MHz 詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 180 @ 1A, 2V 電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 3A  
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