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2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M) Image
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製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
2SK3564(STA4,Q,M)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
仕様書:
1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
77011 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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2SK3564(STA4,Q,M)仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 2SK3564(STA4,Q,M) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 77011 pcs stock データシート 1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
電圧 - テスト 700pF @ 25V 電圧 - ブレークダウン TO-220SIS
同上@ VGS（TH）（最大） 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（最大） 10V
技術 MOSFET (Metal Oxide) シリーズ π-MOSIV
RoHSステータス Tube 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3A (Ta)
偏光 TO-220-3 Full Pack 他の名前 2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 製造元の部品番号 2SK3564(STA4,Q,M)
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 17nC @ 10V IGBTタイプ ±30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4V @ 1mA FET特長 N-Channel
拡張された説明 N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS ソース電圧（VDSS）にドレイン -
説明 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 900V
静電容量比 40W (Tc)  
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