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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
RN2111ACT(TPL3)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
仕様書:
RN2111ACT(TPL3).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
1242943 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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RN2111ACT(TPL3)仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 RN2111ACT(TPL3) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 1242943 pcs stock データシート RN2111ACT(TPL3).pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 80mA 電圧 - ブレークダウン CST3
IB、IC @ Vce飽和(最大) 50V シリーズ -
RoHSステータス Tape & Reel (TR) 抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム) 10k
抵抗 - ベース(R1)(オーム) - 電力 - 最大 100mW
偏光 SC-101, SOT-883 他の名前 RN2111ACT(TPL3)TR
ノイズ指数(F @デシベル標準) - 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 製造元の部品番号 RN2111ACT(TPL3)
周波数 - トランジション 120 @ 1mA, 5V 拡張された説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
説明 TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ遮断(最大) 150mV @ 250µA, 5mA 電流 - コレクタ(Ic)(Max) PNP - Pre-Biased
シャットダウン

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