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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

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製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
RN2110ACT(TPL3)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
仕様書:
RN2110ACT(TPL3).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
1292990 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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RN2110ACT(TPL3)仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 RN2110ACT(TPL3) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 1292990 pcs stock データシート RN2110ACT(TPL3).pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 150mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased サプライヤデバイスパッケージ CST3
シリーズ - 抵抗器 - ベース（R1） 4.7 kOhms
電力 - 最大 100mW パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SC-101, SOT-883 他の名前 RN2110ACT(TPL3)TR
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 120 @ 1mA, 5V 電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 80mA  
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