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CRF03(TE85L,Q,M)

CRF03(TE85L,Q,M)

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
CRF03(TE85L,Q,M)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
仕様書:
CRF03(TE85L,Q,M).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
582796 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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CRF03(TE85L,Q,M)仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 CRF03(TE85L,Q,M) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 582796 pcs stock データシート CRF03(TE85L,Q,M).pdf
電圧 - ピーク逆(最大) Standard 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 700mA
電圧 - ブレークダウン S-FLAT (1.6x3.5) シリーズ -
RoHSステータス Tape & Reel (TR) 逆回復時間(trrの) Fast Recovery = 200mA (Io)
もし、F @抵抗 - 偏光 SOD-123F
動作温度 - ジャンクション 100ns 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 16 Weeks
製造元の部品番号 CRF03(TE85L,Q,M) 拡張された説明 Diode Standard 600V 700mA Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)
ダイオード構成 50µA @ 600V 説明 DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 2V @ 700mA 電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 600V
Vrと、F @キャパシタンス -40°C ~ 150°C  
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