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TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
TPC8405(TE12L,Q,M)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
仕様書:
1.TPC8405(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8405(TE12L,Q,M).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
4064 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)仕様

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部品型番 TPC8405(TE12L,Q,M) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4064 pcs stock データシート 1.TPC8405(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8405(TE12L,Q,M).pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 1mA サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP (5.5x6.0)
シリーズ - 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 26 mOhm @ 3A, 10V
電力 - 最大 450mW パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1240pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 27nC @ 10V FETタイプ N and P-Channel
FET特長 Logic Level Gate ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A, 4.5A
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