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TK2A65D(STA4,Q,M)

TK2A65D(STA4,Q,M)

TK2A65D(STA4,Q,M) Image
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
TK2A65D(STA4,Q,M)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
仕様書:
1.TK2A65D(STA4,Q,M).pdf2.TK2A65D(STA4,Q,M).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
64167 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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TK2A65D(STA4,Q,M)仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 TK2A65D(STA4,Q,M) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 64167 pcs stock データシート 1.TK2A65D(STA4,Q,M).pdf2.TK2A65D(STA4,Q,M).pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 4.4V @ 1mA Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
シリーズ π-MOSVII 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.26 Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 30W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack 他の名前 TK2A65D(STA4QM)
TK2A65DSTA4QM
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 380pF @ 25V ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 9nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V ソース電圧（VDSS）にドレイン 650V
詳細な説明 N-Channel 650V 2A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Ta)
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