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トランジスタ-fet、mosfet-シングル
SSM3J36MFV,L3F

SSM3J36MFV,L3F

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
SSM3J36MFV,L3F
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
仕様書:
SSM3J36MFV,L3F.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
4206 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SSM3J36MFV,L3F仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 SSM3J36MFV,L3F メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4206 pcs stock データシート SSM3J36MFV,L3F.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） - Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ VESM
シリーズ U-MOSIII 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
電力消費（最大） 150mW (Ta) パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース SOT-723 他の名前 SSM3J36MFV(TL3T)DKR
SSM3J36MFV(TL3T)DKR-ND
SSM3J36MFVL3FDKR
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 43pF @ 10V ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 1.2nC @ 4V
FETタイプ P-Channel FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.5V, 4.5V ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
詳細な説明 P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 330mA (Ta)
シャットダウン

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