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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス
RN4609(TE85L,F)

RN4609(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
RN4609(TE85L,F)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
仕様書:
RN4609(TE85L,F).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
601682 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN4609(TE85L,F)仕様

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部品型番 RN4609(TE85L,F) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 601682 pcs stock データシート RN4609(TE85L,F).pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) サプライヤデバイスパッケージ SM6
シリーズ - 抵抗器ベース（R2） 22 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 47 kOhms 電力 - 最大 300mW
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース SC-74, SOT-457
他の名前 RN4609(TE85LF)CT 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 200MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 70 @ 10mA, 5V 電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA  
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