あなたの国または地域を選択してください

まず  ページ
プロダクトセンター
ディスクリート半導体製品
トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス
RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T) Image
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
RN2106(T5L,F,T)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
仕様書:
RN2106(T5L,F,T).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
358161 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

引き合い

すべての必須フィールドに連絡先情報を入力してください。 「お問い合わせを送信」をクリックしてください。
まもなくメールでご連絡いたします。またはメールを送ってください：info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 358161 pcs 参考価格（USD）

  • 1 pcs
    $0.112
  • 10 pcs
    $0.102
  • 25 pcs
    $0.074
  • 100 pcs
    $0.057
目標価格(USD):
数量:
表示されている数量より多い場合は、目標価格をお知らせください。
合計: $0.00
RN2106(T5L,F,T)
会社名
接触
Eメール
メッセージ
RN2106(T5L,F,T) Image

RN2106(T5L,F,T)仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
(空白をクリックすると、自動的に閉じます)
部品型番 RN2106(T5L,F,T) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 358161 pcs stock データシート RN2106(T5L,F,T).pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased サプライヤデバイスパッケージ SSM
シリーズ - 抵抗器ベース（R2） 47 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 4.7 kOhms 電力 - 最大 100mW
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース SC-75, SOT-416
他の名前 RN2106(T5LFT)CT 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 200MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 10mA, 5V 電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA  
シャットダウン

関連製品

関連タグ

ホット情報