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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス
RN1904FE,LF(CT

RN1904FE,LF(CT

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製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
RN1904FE,LF(CT
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
仕様書:
RN1904FE,LF(CT.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
1022786 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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RN1904FE,LF(CT仕様

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部品型番 RN1904FE,LF(CT メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 1022786 pcs stock データシート RN1904FE,LF(CT.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 2 NPN - Pre-Biased (Dual) サプライヤデバイスパッケージ ES6
シリーズ - 抵抗器ベース（R2） 47 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 47 kOhms 電力 - 最大 100mW
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
他の名前 RN1904FE(T5L,F,T)
RN1904FE(T5LFT)TR
RN1904FE(T5LFT)TR-ND
RN1904FELF(CTTR		 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 10mA, 5V 電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA  
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