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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス
RN1673(TE85L,F)

RN1673(TE85L,F)

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
RN1673(TE85L,F)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
仕様書:
RN1673(TE85L,F).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
5684 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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RN1673(TE85L,F)仕様

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部品型番 RN1673(TE85L,F) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 5684 pcs stock データシート RN1673(TE85L,F).pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 2 NPN - Pre-Biased (Dual) サプライヤデバイスパッケージ SM6
シリーズ - 抵抗器ベース（R2） -
抵抗器 - ベース（R1） 47 kOhms 電力 - 最大 300mW
パッケージング Original-Reel® パッケージ/ケース SC-74, SOT-457
他の名前 RN1673(TE85LF)DKR 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション - 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SM6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 120 @ 1mA, 5V 電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA  
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