部品型番 | HN1B04FE-GR,LF | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 1161817 pcs stock | データシート | HN1B04FE-GR,LF.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V | IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 10mA, 100mA |
トランジスタ型式 | NPN, PNP | サプライヤデバイスパッケージ | ES6 |
シリーズ | - | 電力 - 最大 | 100mW |
パッケージング | Original-Reel® | パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | HN1B04FE-GR(5LFTDKR HN1B04FE-GR(5LFTDKR-ND HN1B04FE-GRLF(TDKR HN1B04FE-GRLF(TDKR-ND HN1B04FE-GRLFDKR |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 80MHz | 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 200 @ 2mA, 6V | 電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 150mA |
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