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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
HN1B04FE-GR,LF
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
仕様書:
HN1B04FE-GR,LF.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
1161817 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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HN1B04FE-GR,LF仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 HN1B04FE-GR,LF メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 1161817 pcs stock データシート HN1B04FE-GR,LF.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V IB、IC @ Vce飽和(最大) 250mV @ 10mA, 100mA
トランジスタ型式 NPN, PNP サプライヤデバイスパッケージ ES6
シリーズ - 電力 - 最大 100mW
パッケージング Original-Reel® パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
他の名前 HN1B04FE-GR(5LFTDKR
HN1B04FE-GR(5LFTDKR-ND
HN1B04FE-GRLF(TDKR
HN1B04FE-GRLF(TDKR-ND
HN1B04FE-GRLFDKR
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 80MHz 詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 200 @ 2mA, 6V 電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 150mA  
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