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CMH04(TE12L,Q,M)

CMH04(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
CMH04(TE12L,Q,M)
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
仕様書:
CMH04(TE12L,Q,M).pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
431969 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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CMH04(TE12L,Q,M)仕様

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部品型番 CMH04(TE12L,Q,M) メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 431969 pcs stock データシート CMH04(TE12L,Q,M).pdf
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 980mV @ 1A 電圧 - 逆（VR）（最大） 200V
サプライヤデバイスパッケージ M-FLAT (2.4x3.8) 速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ - 逆回復時間（trrの） 35ns
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース SOD-128
他の名前 CMH04(TE12L,Q)
CMH04(TE12L,Q)-ND
CMH04(TE12LQM)		 動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 24 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Standard 詳細な説明 Diode Standard 200V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10µA @ 200V 電流 - 平均整流（イオ​​） 1A
Vrと、F @キャパシタンス -  
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