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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル
2SC2235-Y,T6USNF(M

2SC2235-Y,T6USNF(M

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
部品型番:
2SC2235-Y,T6USNF(M
メーカー/ブランド:
Toshiba Semiconductor and Storage
製品説明:
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
仕様書:
2SC2235-Y,T6USNF(M.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
5633 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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2SC2235-Y,T6USNF(M仕様

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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部品型番 2SC2235-Y,T6USNF(M メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 5633 pcs stock データシート 2SC2235-Y,T6USNF(M.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 120V IB、IC @ Vce飽和（最大） 1V @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式 NPN サプライヤデバイスパッケージ TO-92MOD
シリーズ - 電力 - 最大 900mW
パッケージング Bulk パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 Long Body
他の名前 2SC2235-YT6USNF(M
2SC2235YT6USNFM		 運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 周波数 - トランジション 120MHz
詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 100mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO) 電流 - コレクタ（Ic）（Max） 800mA
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