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ディスクリート半導体製品
トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス
UNR411H00A

UNR411H00A

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
PanasonicPanasonic
部品型番:
UNR411H00A
メーカー/ブランド:
Panasonic
製品説明:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
仕様書:
UNR411H00A.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
3979 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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部品型番 UNR411H00A メーカー Panasonic
説明 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 3979 pcs stock データシート UNR411H00A.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V IB、IC @ Vce飽和(最大) 250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased サプライヤデバイスパッケージ NS-B1
シリーズ - 抵抗器ベース(R2) 10 kOhms
抵抗器 - ベース(R1) 2.2 kOhms 電力 - 最大 300mW
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース NS-B1
他の名前 UNR411H00ACT 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 80MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 30 @ 5mA, 10V 電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA  
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