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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス
EMG5T2R

EMG5T2R

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
部品型番:
EMG5T2R
メーカー/ブランド:
LAPIS Semiconductor
製品説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
仕様書:
1.EMG5T2R.pdf2.EMG5T2R.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
885483 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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EMG5T2R仕様

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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部品型番 EMG5T2R メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 885483 pcs stock データシート 1.EMG5T2R.pdf2.EMG5T2R.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 2 NPN - Pre-Biased (Dual) サプライヤデバイスパッケージ EMT5
シリーズ - 抵抗器ベース(R2) 47 kOhms
抵抗器 - ベース(R1) 10 kOhms 電力 - 最大 150mW
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
他の名前 EMG5T2RTR 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 周波数 - トランジション 250MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 68 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA 電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA
ベース部品番号 *MG5  
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