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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス
DTA123JUAT106

DTA123JUAT106

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
部品型番:
DTA123JUAT106
メーカー/ブランド:
LAPIS Semiconductor
製品説明:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
仕様書:
1.DTA123JUAT106.pdf2.DTA123JUAT106.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
1665537 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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DTA123JUAT106仕様

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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部品型番 DTA123JUAT106 メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 1665537 pcs stock データシート 1.DTA123JUAT106.pdf2.DTA123JUAT106.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased サプライヤデバイスパッケージ UMT3
シリーズ - 抵抗器ベース（R2） 47 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 2.2 kOhms 電力 - 最大 200mW
パッケージング Original-Reel® パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
他の名前 DTA123JUAT106DKR 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 10mA, 5V 電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA ベース部品番号 DTA123
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