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MBR300100CTR

MBR300100CTR

GeneSiC Semiconductor
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
GeneSiC SemiconductorGeneSiC Semiconductor
部品型番:
MBR300100CTR
メーカー/ブランド:
GeneSiC Semiconductor
製品説明:
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
仕様書:
1.MBR300100CTR.pdf2.MBR300100CTR.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
1975 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 1975 pcs 参考価格(USD)

  • 25 pcs
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GeneSiC Semiconductor

MBR300100CTR仕様

GeneSiC SemiconductorGeneSiC Semiconductor
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部品型番 MBR300100CTR メーカー GeneSiC Semiconductor
説明 DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 1975 pcs stock データシート 1.MBR300100CTR.pdf2.MBR300100CTR.pdf
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 840mV @ 150A 電圧 - 逆(VR)(最大) 100V
サプライヤデバイスパッケージ Twin Tower 速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ - パッケージング Bulk
パッケージ/ケース Twin Tower 他の名前 MBR300100CTRGN
装着タイプ Chassis Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 4 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Schottky ダイオード構成 1 Pair Common Anode
詳細な説明 Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 100V 300A (DC) Chassis Mount Twin Tower 電流 - 漏れ@ Vrとリバース 8mA @ 20V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 300A (DC)  
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