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SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
部品型番:
SIHB24N65ET5-GE3
メーカー/ブランド:
Electro-Films (EFI) / Vishay
製品説明:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
仕様書:
SIHB24N65ET5-GE3.pdf
在庫状況:
27340 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SIHB24N65ET5-GE3仕様

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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部品型番 SIHB24N65ET5-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET N-CH 650V 24A TO263 フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり 27340 pcs stock データシート SIHB24N65ET5-GE3.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
シリーズ E 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 145 mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大） 250W (Tc) パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2740pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 122nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650V 詳細な説明 N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 24A (Tc)  
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