部品型番 | SI7392DP-T1-GE3 | メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5715 pcs stock | データシート | SI7392DP-T1-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.75 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | N-Channel 30V 9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Ta) |
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