部品型番 | SI5906DU-T1-GE3 | メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 4774 pcs stock | データシート | SI5906DU-T1-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® ChipFet Dual |
シリーズ | TrenchFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 31 mOhm @ 4.8A, 10V |
電力 - 最大 | 10.4W | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® ChipFET™ Dual | 他の名前 | SI5906DU-T1-GE3-ND SI5906DU-T1-GE3TR SI5906DUT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 300pF @ 15V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.6nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A |
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