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SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
部品型番:
SI5504BDC-T1-GE3
メーカー/ブランド:
Electro-Films (EFI) / Vishay
製品説明:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
仕様書:
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
132105 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SI5504BDC-T1-GE3仕様

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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部品型番 SI5504BDC-T1-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 132105 pcs stock データシート
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
シリーズ TrenchFET® 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 65 mOhm @ 3.1A, 10V
電力 - 最大 3.12W, 3.1W パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead 他の名前 SI5504BDC-T1-GE3TR
SI5504BDCT1GE3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 33 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 220pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 7nC @ 10V FETタイプ N and P-Channel
FET特長 Logic Level Gate ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4A, 3.7A
ベース部品番号 SI5504  
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