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SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay
画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
部品型番:
SI4431BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド:
Electro-Films (EFI) / Vishay
製品説明:
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
仕様書:
SI4431BDY-T1-GE3.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
128480 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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SI4431BDY-T1-GE3仕様

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部品型番 SI4431BDY-T1-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 128480 pcs stock データシート SI4431BDY-T1-GE3.pdf
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ TrenchFET® 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 30 mOhm @ 7.5A, 10V
電力消費（最大） 1.5W (Ta) パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 33 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 20nC @ 5V FETタイプ P-Channel
FET特長 - 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V 詳細な説明 P-Channel 30V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.7A (Ta)  
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