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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス
NSBA123EDXV6T1

NSBA123EDXV6T1

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
部品型番:
NSBA123EDXV6T1
メーカー/ブランド:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品説明:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
仕様書:
NSBA123EDXV6T1.pdf
RoHS ステータス:
リード/ RoHS非対応
在庫状況:
5238 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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NSBA123EDXV6T1仕様

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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部品型番 NSBA123EDXV6T1 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
在庫あり 5238 pcs stock データシート NSBA123EDXV6T1.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 5mA, 10mA
トランジスタ型式 2 PNP - Pre-Biased (Dual) サプライヤデバイスパッケージ SOT-563
シリーズ - 抵抗器ベース（R2） 2.2 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 2.2 kOhms 電力 - 最大 500mW
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
他の名前 NSBA123EDXV6T1OS 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
周波数 - トランジション - 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 8 @ 5mA, 10V 電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA ベース部品番号 NSBA1*
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