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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル
NJD35N04T4G

NJD35N04T4G

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画像は参考用です。
製品の詳細については、仕様を参照してください。
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
部品型番:
NJD35N04T4G
メーカー/ブランド:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品説明:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
仕様書:
NJD35N04T4G.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
144905 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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NJD35N04T4G仕様

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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部品型番 NJD35N04T4G メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 144905 pcs stock データシート NJD35N04T4G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 350V IB、IC @ Vce飽和（最大） 1.5V @ 20mA, 2A
トランジスタ型式 NPN - Darlington サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ - 電力 - 最大 45W
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前 NJD35N04T4GOSCT 運転温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 18 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 90MHz 詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 2000 @ 2A, 2V 電流 - コレクタ遮断（最大） 50µA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 4A  
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