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トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス
MUN2237T1G

MUN2237T1G

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製品の詳細については、仕様を参照してください。
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
部品型番:
MUN2237T1G
メーカー/ブランド:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品説明:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
仕様書:
MUN2237T1G.pdf
RoHS ステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況:
2513094 pcs stock
配達場所:
Hong Kong
輸送モード:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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MUN2237T1G仕様

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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部品型番 MUN2237T1G メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 2513094 pcs stock データシート MUN2237T1G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 5mA, 10mA
トランジスタ型式 NPN - Pre-Biased サプライヤデバイスパッケージ SC-59
シリーズ - 抵抗器ベース（R2） 22 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 47 kOhms 電力 - 最大 338mW
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前 MUN2237T1GOS 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 5mA, 10V 電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA  
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