部品型番 | HGTP3N60A4D | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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説明 | IGBT 600V 17A 70W TO220AB | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 60325 pcs stock | データシート | 1.HGTP3N60A4D.pdf2.HGTP3N60A4D.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 600V | VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.7V @ 15V, 3A |
試験条件 | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V | Td(オン/オフ)@ 25℃ | 6ns/73ns |
エネルギーの切り替え | 37µJ (on), 25µJ (off) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - | 逆回復時間(trrの) | 29ns |
電力 - 最大 | 70W | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | 他の名前 | HGTP3N60A4D_NL HGTP3N60A4D_NL-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力タイプ | Standard | IGBTタイプ | - |
ゲートチャージ | 21nC | 詳細な説明 | IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 40A | 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 17A |
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